Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

NDS8858H

SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
NDS8858H

NDS8858H Hakkında

NDS8858H, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal P-channel MOSFET transistör dizisidir. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, N ve P-channel konfigürasyonu sunarak çeşitli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 30V drain-source voltaj derecelendirmesi, 6.3A ve 4.8A çalışma akımı kapasitesi ile düşük güç tüketimli devrelerde yer alan kontrol ve sinyal işleme işlemlerinde tercih edilir. 35mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 2.8V eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir ve 1W maksimum güç derecelendirmesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.3A, 4.8A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4.8A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok