Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NDS8852H
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
NDS8852H Hakkında
NDS8852H, onsemi tarafından üretilen dual N-Channel ve P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source geriliminde çalışan bu komponent, logic level gate kontrolü ile direkt dijital devrelerden sürülebilir. 4.3A ve 3.4A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 80mOhm düşük RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan NDS8852H, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve switch uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Ürün Discontinued (üretim durdurulmuş) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A, 3.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok