Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NDH8502P
P-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SuperSOT™-8
- Seri / Aile Numarası
- NDH8502
NDH8502P Hakkında
NDH8502P, Rochester Electronics tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source voltajında 2.2A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. SuperSOT-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 110mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve sinyal kontrol sistemlerinde kullanılır. 800mW maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle kompakt tasarımlarda yer alan elektronik uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok