Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NDH8302P
P-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SuperSOT™-8
- Seri / Aile Numarası
- NDH8302
NDH8302P Hakkında
NDH8302P, Rochester Electronics tarafından üretilen dual P-channel MOSFET dizisidir. SuperSOT-8 paketinde sunulan bu komponent, 20V drain-source gerilim ve 2A sürekli drain akımı ile çalışır. RDS(on) değeri 4.5V gate geriliminde 130mOhm'dur. Gate eşik gerilimi 1V'tir. 515pF input kapasitansı ve 11nC gate yükü ile hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. 800mW maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahip olup, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Bu dual yapı, push-pull amplifikatörler, anahtar devreler, güç yönetimi ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 515pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok