Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

NDC7002N_SB9G007

MOSFET 2N-CH 50V 0.51A 6-SSOT

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
NDC7002N

NDC7002N_SB9G007 Hakkında

NDC7002N_SB9G007, onsemi tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 50V drain-source gerilim ile 510mA sürekli drain akımına sahip bu bileşen, logic level gate kontrolüne uyumludur. Düşük 2Ω on-resistance değeri ile düşük güç uygulamalarında verimli çalışır. 700mW maksimum güç tüketimi ve geniş -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılabilir. SOT-23-6 yüzeye monte paket içinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, motor kontrolünde ve DC-DC dönüştürücülerde yer alabilir. Logic level aktivasyon özelliği, düşük voltaj kontrol sinyalleri ile uyumlu çalışmasını sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 510mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power - Max 700mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 510mA, 10V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok