Transistörler - JFET
MX2N5116
N CHANNEL JFET
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-18-2
- Kategori
- Transistörler - JFET
- Seri / Aile Numarası
- MX2N5116
MX2N5116 Hakkında
MX2N5116, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel JFET transistördür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ve 25mA drain akımı (Idss) özelliğine sahip bu bileşen, 175 Ohm RDS(On) direnci ile düşük sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. 500mW maksimum güç kapasitesi ve -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı, çeşitli endüstriyel ve tüketici elektroniği tasarımlarında esneklik sağlar. TO-18 metal kutu paketinde sunulan MX2N5116, analog anahtarlama, elektronik kontrol devreleri ve düşük gürültülü amplifikasyon uygulamalarında tercih edilen bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 25 mA @ 15 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 27pF @ 15V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistance - RDS(On) | 175 Ohms |
| Supplier Device Package | TO-18 |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 4 V @ 1 nA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok