Transistörler - FET, MOSFET - RF
MWE6IC9100NBR1-FR
NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MWE6IC9100NBR1
MWE6IC9100NBR1-FR Hakkında
MWE6IC9100NBR1-FR, Rochester Electronics tarafından üretilen dar bant yüksek güç amplifikatörü uygulamaları için tasarlanmış LDMOS transistörüdür. 869-960 MHz frekans aralığında çalışan bu RF transistörü, 100W çıkış gücü ve 33.5dB kazanç sağlamaktadır. 26V test voltajında 120mA test akımı ile karakterize edilen komponent, maksimum 66V nominal voltaj ile çalışabilir. TO-272-14 DIP paket içerisinde sunulan transistör, endüstriyel ve profesyonel RF amplifikasyon uygulamalarında, ISM band haberleşme sistemlerinde ve telemetri cihazlarında kullanılır. Aktif ürün statüsü ile pazar mevcudiyeti sağlanmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 120 mA |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 869MHz ~ 960MHz |
| Gain | 33.5dB |
| Package / Case | TO-272-14 Variant, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 100W |
| Supplier Device Package | TO-272 WB-14 |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 66 V |
| Voltage - Test | 26 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok