Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MVDF2C03HDR2G
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
MVDF2C03HDR2G Hakkında
MVDF2C03HDR2G, onsemi tarafından üretilen tamamlayıcı N-kanal ve P-kanal MOSFET çiftidir. 30V drain-source gerilimi ile tasarlanan bu bileşen, sınıflandırılmış 4.1A N-kanal ve 3A P-kanal sürekli drenaj akımına sahiptir. Logic level gate özelliği sayesinde düşük kontrol gerilimi ile çalıştırılabilir. 70mOhm maksimum RDS(on) değeri ile güç kayıplarını minimize eder. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu entegre, genel amaçlı anahtarlama uygulamaları, hızlı çıkış sürücüleri, push-pull yapılandırmaları ve düşük güçlü DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 2W maksimum güç dağılımı kapasitesine dikkat edilmelidir. Ürün Obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A, 3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel Complementary |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 24V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok