Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MVDF1N05ER2G
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
MVDF1N05ER2G Hakkında
MVDF1N05ER2G, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 50V drain-source gerilimi ve 2A sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, logic level gate özelliğine sahip olup düşük gerilim kontrol uygulamalarında kullanılır. 300mΩ on-direnci (RDS On) ile güç kaybını minimuma indiren bu transistör, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. 8-pin SOIC yüzey montajı paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Dual konfigürasyonu sayesinde push-pull veya komplementer çıkış uygulamalarında ekonomik bir çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok