Transistörler - JFET
MV2N5116
P CHANNEL JFET
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-18-2
- Kategori
- Transistörler - JFET
- Seri / Aile Numarası
- MV2N5116
MV2N5116 Hakkında
MV2N5116, Microchip Technology tarafından üretilen P-Channel Junction Field Effect Transistor (JFET) komponenttir. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 25mA drain akımı (Idss) özellikleriyle çalışan bu transistör, 100 Ohm RDS(On) direnç değerine sahiptir. TO-18 metal kapa paketi içinde sunulan bileşen, -65°C ile +200°C arasında çalışmaya uygundur. 500mW maksimum güç disipasyonu ile tasarlanmıştır. Düşük giriş kapasitansi (27pF) sayesinde yüksek frekanslı anahtarlama uygulamaları, amplifikatör devreleri, voltaj kontrol edilen direnç (VCR) ve özel analog sinyal işleme devreleri için kullanılabilir. Through-hole montaj ile PCB'ye doğrudan lehimlenmesi mümkündür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 25 mA @ 15 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 27pF @ 15V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Resistance - RDS(On) | 100 Ohms |
| Supplier Device Package | TO-18 (TO-206AA) |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 6 V @ 1 nA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok