Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MURTA600120R
DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MURTA600120R
MURTA600120R Hakkında
MURTA600120R, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1.2kV 300A kapasiteli standard doğrultma diyotu dizisidir. Three Tower paket konfigürasyonunda sunulan bu bileşen, 1 çift common anode diyot yapılandırması içerir. Maksimum forward voltajı 300A akımda 2.6V olan ürün, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Ters kaçak akımı 1200V'de 25µA ile sınırlandırılmıştır. Standard recovery hızına sahip bu diyot, endüstriyel güç dönüştürme uygulamaları, kaynak cihazları, UPS sistemleri ve yüksek akımlı doğrultma devreleri gibi alanlarda kullanılır. Chassis mount tipi montajı ile sabit kurulum yapılması için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 300A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 1200 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.6 V @ 300 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok