Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MURTA600120
DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MURTA600120
MURTA600120 Hakkında
MURTA600120, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V/300A rated bir standard recovery diyot çiftidir. Three tower konfigürasyonunda sunulan bu bileşen, common cathode yapısında iki diyot içerir ve yüksek akım doğrultma uygulamalarında kullanılır. Maksimum forward voltajı 2.6V@300A olan bu diyot, ters ön-yükleme durumunda 25µA'lık düşük sızıntı akımı gösterir. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ile +150°C arasında) güvenilir operasyon sağlar. Chassis mount montajı ile endüstriyel güç elektronik devreleri, invertörler, konvertörler ve ağır akım doğrultma sistemlerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 300A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 1200 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.6 V @ 300 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok