Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MURTA500120R
DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MURTA500120R
MURTA500120R Hakkında
MURTA500120R, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1.2kV/250A kapasiteli silikon doğrultma diyotudur. Common Anode konfigürasyonu ile tasarlanmış bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında kullanılır. Three Tower paket tipinde chassis montajı ile sabitlenir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen diyot, 2.6V forward voltaj düşüşü ve 25µA reverse leakage akımı özellikleri ile sunulur. Standard recovery karakteristiği (>500ns) sayesinde AC-DC güç kaynakları, enerji dönüştürücüler ve endüstriyel doğrultma uygulamalarında tercih edilir. 1200V DC reverse voltaj toleransı, yüksek gerilim ortamlarında güvenli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 250A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 1200 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.6 V @ 250 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok