Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MURTA500120
DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MURTA500120
MURTA500120 Hakkında
MURTA500120, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V/250A kapasiteli silikon doğrultucu diyottur. Three Tower paket tipinde chassis mount olarak tasarlanmıştır. Common Cathode konfigürasyonundaki bu diyot çifti, ortalama 250A doğrultulmuş akım sağlarken maksimum 2,6V forward voltaj düşümü gösterir. 1200V ters voltaj derecelendirilmesiyle güç elektoniği uygulamalarında, indüktif yüklerin kontrolünde ve yüksek akımlı AC/DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bileşen, 500ns üzeri recovery time ile Standard recovery sınıfında yer almakta olup, 25µA @ 1200V ters kaçak akımına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 250A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 1200 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.6 V @ 250 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok