Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MURTA400120R
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MURTA400120R
MURTA400120R Hakkında
MURTA400120R, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V 200A kapasiteli standart doğrultma diyodudur. Common Anode konfigürasyonlu diyot çifti içeren bu komponent, üç tower paket tasarımı ile chassis mount uygulamalara uygun şekilde geliştirilmiştir. Maksimum forward voltajı 200A akımda 2.6V olan komponent, -55°C ile 150°C arasında güvenli şekilde çalışabilir. 1200V ters kapanma voltajında sadece 25µA sızıntı akımı ile karakterize edilen MURTA400120R, 500ns üstü recovery zamanı ve 200mA üstü standart recovery hızına sahiptir. Endüstriyel AC/DC dönüştürme sistemleri, kaynak cihazları ve yüksek akım uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 1200 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.6 V @ 200 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok