Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MURTA400120
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MURTA400120
MURTA400120 Hakkında
MURTA400120, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V ters gerilim kapasitesine sahip standart recovery diyot dizisidir. 200A ortalama doğrultulmuş akım ve 2.6V forward voltage karakteristiğine (200A'de) sahip olan bu bileşen, Three Tower kasa tipinde chassis mount olarak tasarlanmıştır. 1 Pair Common Cathode konfigürasyonu ile sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 25µA reverse leakage current (1200V'de) ve >500ns recovery time özelliğine sahiptir. Endüstriyel güç uygulamaları, tiyristör ve IGBT modüllerinin komplementer diyotu olarak, AC-DC konvertörleri ve yüksek akım doğrultma devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 1200 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.6 V @ 200 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok