Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MURTA20060R
DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MURTA20060R
MURTA20060R Hakkında
MURTA20060R, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 600V 100A kapasiteli genel amaçlı doğrultma diyot dizisidir. Tek çift common anode konfigürasyonunda tasarlanan bu komponent, Three Tower kasa tipiyle chassis mount uygulamalarında kullanılır. 100A ortalama doğrultulmuş akım (Io) kapasitesi ile güç dönüştürme, AC/DC adaptörler, inverter devreleri ve endüstriyel doğrultma uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C junction sıcaklık aralığında stabil çalışan komponent, 1.7V maksimum forward voltaj ve 25µA @ 600V reverse leakage akımı ile karakterizedir. Standard recovery hızı (>500ns) sahip olan diyot, şebeke frekansı uygulamalarında etkili performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 600 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 100 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok