Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MURTA20060
DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MURTA20060
MURTA20060 Hakkında
MURTA20060, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 600V 100A kapasiteli general purpose doğrultucu diyot dizisidir. Three Tower kasa tipi ile chassis mount uygulamalarında kullanılır. 1 Pair Common Cathode konfigürasyonuna sahip olan bu bileşen, 1.7V forward voltaj düşüşü ile 100A akım taşıyabilir. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışan bu diyot, anahtarlama güç kaynakları, endüstriyel doğrultma uygulamaları ve yüksek akımlı DC dönüştürücülerde kullanılır. Standard recovery karakteristiği ile >500ns reverse recovery süresine ve 25µA @ 600V reverse leakage akımına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 600 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 100 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok