Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MURTA200120
DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MURTA200120
MURTA200120 Hakkında
GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen MURTA200120, 1200V ters voltaj kapasitesine sahip 100A ortalama doğrultulmuş akım değerinde çalışan standard recovery diyottur. Three Tower chassis mount pakette sunulan bu bileşen, 1 Pair Common Cathode konfigürasyonunda tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C arasında çalışan diyot, 2.6V @ 100A forward voltajına sahiptir. Endüstriyel güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, kontrol devreleri ve yüksek akım uygulamalarında doğrultucu elemesi olarak kullanılır. 25µA @ 1200V reverse leakage akımı ve 500ns üzeri recovery time ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 1200 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.6 V @ 100 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok