Diyotlar - Doğrultucular - Diziler

MURT40060

DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER

Paket/Kılıf
Three Tower
Seri / Aile Numarası
MURT40060

MURT40060 Hakkında

MURT40060, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 600V 200A kapasiteli fast recovery diyot modülüdür. Three Tower paket tipinde chassis mount konfigürasyonu ile tasarlanmış olup, 1 pair common cathode diyot yapısına sahiptir. 240 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun özellikler gösterir. Maksimum forward voltajı 1.7V @ 200A, reverse voltajı ise 600V'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilmektedir. Enerji dönüştürme uygulamalarında, güç kaynakları, inverterler ve DC/DC konverterlerde kullanılmaya uygundur. Maks 25 µA @ 50V reverse leakage akımı ile düşük kaçak özelliği bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 200A
Current - Reverse Leakage @ Vr 25 µA @ 50 V
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Diode Type Standard
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case Three Tower
Part Status Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) 240 ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package Three Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 200 A

Kaynaklar

Datasheet

MURT40060 PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok