Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MURT40010
DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MURT40010
MURT40010 Hakkında
MURT40010, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 100V 200A kapasiteli fast recovery diyot modülüdür. Üç kule (Three Tower) yapısında chassis mount montajı ile sağlanan bu komponent, 1 Pair Common Cathode konfigürasyonunda iki diyot içerir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu modül, 125 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.3V forward voltage düşüşü ile 200A ortalama doğrultulmuş akım sağlar. Güç kaynakları, invertörler, UPS sistemleri ve endüstriyel doğrultma devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Maksimum 50V'de 25 µA reverse leakage akımı ile düşük sızıntı karakteristiği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 50 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 125 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 200 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok