Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MURT20060
DIODE MODULE 600V 100A 3TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MURT20060
MURT20060 Hakkında
MURT20060, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 600V 100A kapasiteli hızlı toparlanmalı diyot modülüdür. Three Tower kasa tasarımında sunulan bu komponent, 1 Pair Common Cathode konfigürasyonuna sahiptir. 100A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ve 1.7V @ 100A forward voltajı ile güç uygulamalarında kullanılır. Fast recovery karakteristiğine (160ns trr) ve geniş çalışma sıcaklık aralığına (-55°C ~ 150°C) sahip olan MURT20060, endüstriyel güç kaynakları, inverte devreler ve motor sürücüleri gibi yüksek akımlı doğrultma uygulamalarında tercih edilmektedir. Chassis mount tipi montajlama ile kompakt tasarımlara entegre edilebilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 50 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 160 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 100 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok