Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MURT20010R
DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MURT20010R
MURT20010R Hakkında
MURT20010R, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 100V/100A kapasiteli diyot modülüdür. Three Tower paket yapısında sunulan bu bileşen, 1 Pair Common Anode konfigürasyonu ile tasarlanmıştır. Fast Recovery karakteristiğine sahip standart diyot tipi olarak, anahtarlama devrelerinde, güç elektroniği uygulamalarında ve AC doğrultma işlemlerinde kullanılır. Maksimum 1.3V forward voltaj düşümü ve 75ns reverse recovery time ile hızlı komütasyon özelliği sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Şasi montajı için uygun olup, güç kaynakları, inverter devreleri ve endüstriyel doğrultmaç uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 50 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 100 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok