Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MURT20010
DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MURT20010
MURT20010 Hakkında
MURT20010, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 100V/100A kapasiteli fast recovery diyot modülüdür. 1 Pair Common Cathode konfigürasyonunda dizayn edilen bu bileşen, Three Tower chassis mount pakette sunulmaktadır. 75 ns reverse recovery time özelliği ile yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Forward voltage 1.3V @ 100A, maximum reverse voltage 100V'dir. Reverse leakage current 25 µA @ 50V olarak belirtilmiştir. Endüstriyel güç dönüştürme, invertör, rectifier ve AC/DC supply devrelerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 50 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 100 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok