Diyotlar - Doğrultucular - Diziler

MURT20005R

DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER

Paket/Kılıf
Three Tower
Seri / Aile Numarası
MURT20005R

MURT20005R Hakkında

MURT20005R, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 50V 100A kapasiteli diyot modülüdür. Common Anode konfigürasyonundaki bu ürün, three tower chassis mount paketinde sunulmaktadır. Standart doğrultma uygulamalarında kullanılan bileşen, maksimum 1.3V forward voltajında 100A akım iletebilir. 75ns reverse recovery time ve fast recovery karakteristiğine sahip olan modül, geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) güvenilir performans sağlar. Endüstriyel güç uygulamaları, kontrol sistemleri ve doğrultma devrelerinde yaygın olarak kullanılan bu modül, hali hazırda üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 100A
Current - Reverse Leakage @ Vr 25 µA @ 50 V
Diode Configuration 1 Pair Common Anode
Diode Type Standard
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case Three Tower
Part Status Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) 75 ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package Three Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3 V @ 100 A

Kaynaklar

Datasheet

MURT20005R PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok