Diyotlar - Doğrultucular - Diziler

MURT20005

DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER

Paket/Kılıf
Three Tower
Seri / Aile Numarası
MURT20005

MURT20005 Hakkında

MURT20005, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 50V/100A kapasiteli fast recovery diyot modülüdür. Three Tower paketlemesi ile chassis mount uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1 Pair Common Cathode konfigürasyonuna sahip bu diyot modülü, 75ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Forward voltage 1.3V @ 100A'da ve reverse leakage akımı 25µA @ 50V'da belirtilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır. Güç kaynakları, invertör devreleri ve doğrultucu uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Part Status Obsolete olarak işaretlenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 100A
Current - Reverse Leakage @ Vr 25 µA @ 50 V
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Diode Type Standard
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case Three Tower
Part Status Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) 75 ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package Three Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3 V @ 100 A

Kaynaklar

Datasheet

MURT20005 PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok