Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MURT10060R
DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MURT10060R
MURT10060R Hakkında
MURT10060R, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 600V 50A kapasiteli fast recovery diyot dizisidir. 1 Pair Common Anode konfigürasyonunda tasarlanmış olan bu komponent, reverse polarity standart diyot olarak çalışır. Three Tower chassis mount paketinde sunulan MURT10060R, 75 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı ve 1.7V max forward voltage karakteristiği ile AC/DC güç dönüştürme, invertör devreleri, UPS sistemleri ve endüstriyel elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 50A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 50 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Standard, Reverse Polarity |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 100 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok