Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MURT10060
DIODE ARRAY GP 600V 50A 3TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MURT10060
MURT10060 Hakkında
MURT10060, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 600V 50A kapasiteli fast recovery diyot dizisidir. 1 Pair Common Cathode konfigürasyonunda tasarlanmış bu bileşen, Three Tower paketinde sunulmaktadır. 75 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışma sağlar. Maksimum forward voltajı 1.7V @ 100A, reverse voltajı 600V ve maksimum reverse leakage akımı 25µA @ 50V'dir. Chassis mount tipi montajla endüstriyel güç dönüştürme uygulamaları, invertörler, motor kontrolü ve AC/DC konvertör devrelerinde kullanılan standart diyot doğrultıcısıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 50A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 50 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 100 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok