Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MURT10040R
DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MURT10040R
MURT10040R Hakkında
MURT10040R, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen hızlı iyileştirmeli diyot array doğrulttucu bileşenidir. Common anode konfigürasyonunda tasarlanmış bu ürün, her diyot başına 50A ortalama doğrultturma akımına sahiptir. 400V maksimum ters gerilim (Vr) ve 1.35V maksimum ileri gerilim (Vf) 50A'de karakteristikleri ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 90ns reverse recovery time ve fast recovery özelliği ile anahtarlama hızı yüksek devrelerde tercih edilir. -55°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında yer alabilir. Chassis mount montaj tipi ve Three Tower paketi ile PCB entegrasyonu sağlanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 50A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 50 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Standard, Reverse Polarity |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 90 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35 V @ 50 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok