Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MURT10010R
DIODE MODULE 100V 50A 3TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Three Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MURT10010R
MURT10010R Hakkında
MURT10010R, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 100V 50A rated bir diyot modülüdür. Three Tower kasa tipinde sunulan bu komponent, 1 Pair Common Anode konfigürasyonunda tasarlanmıştır. Fast Recovery diyot olarak sınıflandırılan ürün, 75 ns reverse recovery time (trr) ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum forward voltaj 1.3V @ 50A, reverse leakage akımı ise 50V'de 25 µA olarak belirtilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu modül, chassis mount tipinde monte edilir. Güç elektronikleri, doğrultma ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan bir bileşendir. Not: Bu ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 50A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 50 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Three Tower |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 50 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok