Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
MUR4L60HB0G
DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Axial
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- MUR4L60HB0G
MUR4L60HB0G Hakkında
MUR4L60HB0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 600V / 4A kapasiteli genel amaçlı hızlı recovery doğrultma diyotudur. DO-201AD axial pakette sunulan bu bileşen, ters kurtarma süresi 50 ns ile düşük kapasitif davranış gösterir. İleri yönde 1.28V @ 4A ile karakterize edilen diyot, anahtarlama güç kaynakları, konvertörler ve ters polarite koruması uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma aralığında güvenilir performans sağlar. Düşük ters kaçak akım (10 µA @ 600V) özellikleri sayesinde endüstriyel ve tüketici elektroniğinde geniş uygulama alanı bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 65pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-201AD, Axial |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-201AD |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.28 V @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok