Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

MUR4L20HB0G

DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AD

Paket/Kılıf
Axial
Seri / Aile Numarası
MUR4L20HB0G

MUR4L20HB0G Hakkında

MUR4L20HB0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı iyileştirme diyotudur. DO-201AD (axial) paketinde sunulan bu bileşen, 200V ters voltaj ve 4A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. 25ns reverse recovery time ile karakterize edilen bu diyot, güç kaynakları, anahtarlama uygulamaları ve doğrultucu devrelerinde kullanılmaktadır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Forward voltage değeri 4A'de 890mV olup, ters kaçak akımı 200V'da 5µA'dir. Through-hole montajı için uygun olup, industrial ve commercial uygulamalarda yaygın olarak tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 65pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 4A
Current - Reverse Leakage @ Vr 5 µA @ 200 V
Diode Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case DO-201AD, Axial
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 25 ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package DO-201AD
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 890 mV @ 4 A

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok