Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MUR2X030A12
DIODE GEN PURP 1200V 30A SOT227
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-227-4
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MUR2X030A
MUR2X030A12 Hakkında
MUR2X030A12, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V 30A kapasiteli hızlı iyileşmeli doğrultma diyotudur. SOT-227-4 (miniBLOC) paketinde sunulan bu bileşen, iki bağımsız diyot yapısına sahiptir. 30A ortalama doğrultulmuş akım ve maksimum 2.35V ileri gerilim değerleri ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 85ns ters iyileşme süresi ve hızlı iyileşme özelliği (≤500ns) sayesinde anahtarlama devrelerinde ve endüstriyel güç kaynağı tasarımlarında tercih edilir. -65°C ile +175°C arasında çalışır ve şasi montajı desteği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 30A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 1200 V |
| Diode Configuration | 2 Independent |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 85 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | SOT-227 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.35 V @ 30 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok