Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MUR20060CTR
DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MUR20060CTR
MUR20060CTR Hakkında
MUR20060CTR, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 600V 100A Schottky diyot modülüdür. Twin Tower konfigürasyonunda 1 Pair Common Anode tasarımıyla hazırlanmıştır. Ortalama doğrultma akımı 100A olup, maksimum ileri gerilim 1.7V @ 50A'dir. 110ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama karakteristiği sunar. Chassis mount tipinde montaj imkanı sağlayan bu modül, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç kaynağı uygulamaları, enerji dönüştürücüler, invertörler ve yüksek akımı anahtarlayan devreler gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 50 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 110 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 50 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok