Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MUR20060CT
DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MUR20060CT
MUR20060CT Hakkında
MUR20060CT, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 600V 100A kapasiteli Schottky diyot modülüdür. Twin Tower paketinde sunulan bu bileşen, 1 Pair Common Cathode konfigürasyonuna sahiptir. Maksimum forward voltajı 50A'de 1.7V'dur. 110ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu modül, güç kaynakları, invertörler, UPS sistemleri ve endüstriyel doğrultma uygulamalarında kullanılır. Yüksek akım kapasitesi ve düşük forward voltajı sayesinde enerji dönüşüm sistemlerinde verimli çalışmayı sağlar. Chassis mount tipi kurulum ile sabit tesisat uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 50 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 110 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 50 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok