Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MUR20010CTR
DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MUR20010
MUR20010CTR Hakkında
MUR20010CTR, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 100V/100A rated Schottky diyot modülüdür. Twin Tower chassis mount yapısında tasarlanmış olup, 1 pair common anode konfigürasyonuna sahiptir. 100A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesiyle endüstriyel ve güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Fast recovery özelliği (≤500ns) ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Tipik forward voltage değeri 100A'de 1.3V olup, 75ns reverse recovery time ile hızlı komütasyon performansı sağlar. Güç kaynakları, UPS sistemleri, motor sürücüler ve AC-DC konvertörlerde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 50 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 100 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok