Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MUR20010CT
DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MUR20010CT
MUR20010CT Hakkında
MUR20010CT, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 100V/100A Schottky diyot modülüdür. Twin Tower kasa tipinde chassis mount olarak tasarlanmıştır. 1 Pair Common Cathode konfigürasyonuna sahip bu diyot modülü, 75 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, 1.3V forward voltage (100A'de) ile düşük kayıp özellikleri gösterir. 25 µA @ 50V reverse leakage akımı belirtilmiştir. Endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, inverter devreleri ve yüksek akım doğrultma uygulamalarında kullanılan bu modülün aktif parça statüsüne sahip olması, periyodik üretim desteği sağlamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 50 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 100 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok