Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MUR10020CT
DIODE MODULE 200V 50A 2TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MUR10020CT
MUR10020CT Hakkında
MUR10020CT, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 200V 50A fast recovery diyot modülüdür. Twin Tower paketinde chassis mount tipi yapıya sahip olup, 1 pair common cathode konfigürasyonu ile tasarlanmıştır. 75 ns reverse recovery time ve 500ns altında hızlı diyot karakteristiği ile sürücü devre uygulamalarında, inverter sistemlerinde, AC/DC güç dönüştürücülerinde ve endüstriyel elektronik uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arası junction sıcaklık aralığında çalışabilir. 1.3V forward voltage @ 50A ve 25µA reverse leakage @ 50V özellikleri ile düşük kayıp ve yüksek güvenilirliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 50A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 50 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 50 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok