Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
MUR10010CTR
DIODE MODULE 100V 50A 2TOWER
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Twin Tower
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- MUR10010C
MUR10010CTR Hakkında
MUR10010CTR, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 100V 50A kapasiteli fast recovery diyot modülüdür. Twin Tower pakette sunulan bu bileşen, 1 pair common anode konfigürasyonunda iki diyotu içerir. Şasi montajı için tasarlanmıştır. Ortalama doğrultulmuş akım 50A, maksimum ileri gerilim düşüşü 1,3V (50A'de) ve 75ns reverse recovery time ile karakterize edilir. -55°C ile 150°C arasında güvenli bir şekilde çalışabilir. Fast recovery özelliği sayesinde yüksek frekans uygulamalarında tercih edilir. Güç kaynakları, inverter devreleri, welding equipment ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 50A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 50 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Twin Tower |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 50 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok