Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
MUN5314DW1T1G
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
MUN5314DW1T1G Hakkında
MUN5314DW1T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual transistör dizisidir. Bir NPN ve bir PNP transistörü içeren bu bileşen, 6-TSSOP (SC-88) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Her transistör içerisinde entegre baz direnç (R1: 10kΩ, R2: 47kΩ) bulunur ve bu özellik devrelerde baz polarizasyon gereksinimini basitleştirir. 50V collector-emitter gerilim dayanımı, 100mA maksimum collector akımı ve 250mW güç derecelemesi ile bu transistör, darbe şekillendirme, anahtar uygulamaları ve mantık seviyesi interfacing uygulamalarında kullanılır. Düşük collector cutoff akımı (500nA) ile kapalı durumda yüksek yalıtım sağlar. Ön beslemeli yapısı sayesinde kurulum zamanını kısaltır ve devre karmaşıklığını azaltır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok