Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
MUN5234DW1T1G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
MUN5234DW1T1G Hakkında
MUN5234DW1T1G, onsemi tarafından üretilen dual NPN pre-biased transistör dizisidir. 6-TSSOP (SOT-363) yüzey montajlı kasa ile sunulan bu komponent, 250mW maksimum güç dağılımına sahiptir. Her bir transistör 100mA maksimum kollektör akımı, 80 minimum DC akım kazancı (5mA, 10V koşullarında) ve 50V maksimum Vce(bo) kırılma voltajı ile çalışır. İntegre 22kΩ baz direnci ve 47kΩ emitter-baz direnci sayesinde ön-yüklemeli (pre-biased) yapı sağlar. Doyum voltajı maksimum 250mV (1mA, 10mA koşullarında) ve kollektör cutoff akımı 500nA'dir. Genel amaçlı anahtarlama, DC amplifikasyon ve sinyal yönetimi uygulamalarında kullanılır. Küçük kasa, entegre biyaslanma dirençleri ve düşük güç tüketimi sayesinde taşınabilir cihazlar, tüketici elektroniği ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250mW |
| Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok