Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
MUN5212DW1T1G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
MUN5212DW1T1G Hakkında
MUN5212DW1T1G, onsemi tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-363 (6-TSSOP) yüzey montajlı paket içerisinde iki adet NPN transistör ve entegre ön beslemeli direnç ağını barındırır. 100mA maksimum kollektör akımı, 50V kollektör-emitter breakdown voltajı ve 250mW maksimum güç dağılımı özelliklerine sahiptir. 22kΩ base ve emitter-base dirençleri sayesinde harici biyaslandırma dirençlerine ihtiyaç duymadan çalışabilir. Sinyal anahtarlaması, lojik seviyeleri uyarlama ve düşük güç uygulamalarında kullanılır. Telekomünikasyon, endüstriyel kontrol ve tüketici elektroniği cihazlarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250mW |
| Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22kOhms |
| Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok