Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler

MUN5211DW1T1

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
MUN5211

MUN5211DW1T1 Hakkında

MUN5211DW1T1, onsemi tarafından üretilen 2 NPN ön beslemeli dual transistör entegre devresidir. SOT-363 (6-TSSOP) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 250mW güç tüketimiyle çalışmaktadır. Her transistör 10kΩ base ve emitter-base dirençleri ile ön yüklenmiştir. Maksimum 100mA kollektör akımı ve 50V breakdown voltajı ile çalışabilir. Sinyal kuvvetlendirme, darbe şekillendirme ve lojik seviye kontrolü gibi uygulamalarda kullanılır. Kompakt yüksek yoğunluk PCB tasarımlarında tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Obsolete
Power - Max 250mW
Resistor - Base (R1) 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10kOhms
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok