Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
MUN5116T1G
TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
MUN5116T1G Hakkında
MUN5116T1G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar jonksiyon transistörüdür. SC-70 (SOT-323) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, entegre baz direnci (4.7 kΩ) ile donatılmıştır. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 160 minimum DC akım kazancı (hFE) özellikleriyle sinyal anahtarlama, amplifikasyon ve lojik uygulamalarında yer alır. 202mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile kompakt devre tasarımlarında tercih edilir. Özellikle taşınabilir cihazlar, sensör arayüzleri ve düşük voltaj kontrol devrelerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 202 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-70-3 (SOT323) |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok