Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
MUN5116DW1T1
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
MUN5116DW1T1 Hakkında
MUN5116DW1T1, onsemi tarafından üretilen dual PNP ön beslemeli transistör (pre-biased) bileşenidir. 6-TSSOP (SOT-363) yüzey montajlı paket ile sunulan bu komponent, 100mA maksimum kollektör akımı ve 160 minimum DC akım kazancı (hFE) özellikleriyle tasarlanmıştır. Maksimum 250mW güç dağıtımı kapasitesine sahip olan MUN5116, 4.7kΩ base direnci ve 250mV maksimum VCE doyum voltajı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 50V collector-emitter kırılma voltajı ile orta seviye sinyal işleme, lojik seviyelendirme ve voltaj kontrol devrelerinde yer alır. Ön beslemeli (pre-biased) yapısı sayesinde harici base direnci gerektirmez ve kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok