Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
MUN5112T1G
TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
MUN5112T1G Hakkında
MUN5112T1G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) BJT transistördür. SC-70 (SOT-323) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, entegre base ve emitter direnç ağlarıyla gelmektedir. 50V maksimum collector-emitter gerilimi ile çalışabilen transistör, 100mA maksimum collector akımını desteklemektedir. 60 minimum DC akım kazancı (hFE) ile güç elektronikleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. Düşük güç tüketimi (202mW maksimum) ve kompakt montaj boyutu sayesinde taşınabilir cihazlarda, ses amplifikatörlerinde ve genel sinyal işleme devrelerinde tercih edilir. Ön beslemeli tasarımı nedeniyle harici bias dirençlerine gerek duymaz ve PCB alanından tasarruf sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 202 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-70-3 (SOT323) |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok