Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
MUN2235T1G
TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3
MUN2235T1G Hakkında
MUN2235T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN BJT transistörüdür. SC-59 (SOT-23-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, entegre base ve emitter dirençleri içererek basit anahtarlama uygulamalarında hızlı tasarım ve kurulum sağlar. 50V collector-emitter gerilimi, 100mA maksimum collector akımı ve 230mW güç disipasyonu ile düşük sinyal anahtarlama devrelerinde, lojik seviye dönüştürmede ve genel amaçlı güç kontrol uygulamalarında kullanılır. Entegre 2.2kΩ base direnci ve 47kΩ emitter-base direnci ile ön beslemeli yapısı sayesinde bağımsız bias ağına gerek duymaz.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 230 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-59 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok