Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

MUN2232T1G

TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MUN2232

MUN2232T1G Hakkında

MUN2232T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. SC-59 (SOT-23-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100 mA kollektor akımı ve 50 V çöküntü gerilimi ile çalışır. Entegre 4.7 kOhm baz ve 4.7 kOhm emiter baz dirençleri sayesinde ayrı önyükleme devresi gerektirmez. 250 mV doyum gerilimi ve 15 minimum DC akım kazancı ile transistör, düşük işaret seviyelerinde anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Maksimum 338 mW güç dağılımı kapasitesiyle, tüketici elektronikleri, sinyal işleme devreleri ve lojik seviye dönüştürme uygulamalarında yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 5mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 338 mW
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms
Supplier Device Package SC-59
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok