Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
MUN2230T1G
TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
MUN2230T1G Hakkında
MUN2230T1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bir bipolar transistördür. TO-236-3 (SC-59) SMD paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100 mA kollektör akımı ve 50 V maksimum Vce değerleriyle çalışır. Entegre olarak taşıdığı 1 kΩ base ve 1 kΩ emitter-base direnç değerleri sayesinde, basit uygulamalarda ek dirençlere gerek kalmadan kullanılabilir. 338 mW maksimum güç kapasitesi ve 250 mV doyum gerilimi (Vce sat), anahtarlama uygulamaları ve düşük sinyal amplifikasyonunda tercih edilir. Elektronik edevat tasarımında, sinyalleme ve kontrol devreleri gibi genel amaçlı uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 338 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-59 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok