Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

MUN2230T1G

TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MUN2230

MUN2230T1G Hakkında

MUN2230T1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bir bipolar transistördür. TO-236-3 (SC-59) SMD paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100 mA kollektör akımı ve 50 V maksimum Vce değerleriyle çalışır. Entegre olarak taşıdığı 1 kΩ base ve 1 kΩ emitter-base direnç değerleri sayesinde, basit uygulamalarda ek dirençlere gerek kalmadan kullanılabilir. 338 mW maksimum güç kapasitesi ve 250 mV doyum gerilimi (Vce sat), anahtarlama uygulamaları ve düşük sinyal amplifikasyonunda tercih edilir. Elektronik edevat tasarımında, sinyalleme ve kontrol devreleri gibi genel amaçlı uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 3 @ 5mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 338 mW
Resistor - Base (R1) 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 1 kOhms
Supplier Device Package SC-59
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok