Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
MUN2213JT1G
TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
MUN2213JT1G Hakkında
MUN2213JT1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SC-59 (SOT-23-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, entegre baz ve emitter dirençleri (her biri 47kΩ) ile donatılmıştır. Maksimum 100mA kolektör akımı ve 338mW güç derecelendirmesi ile düşük sinyalli anahtarlama ve sinyal yükseltme uygulamalarında kullanılır. 50V VCE(BR) dağılım gerilimi, 80 minimum hFE ve 250mV doyum gerilimi ile kontrol devrelerinde, sinyal işleme ve lojik arayüz uygulamalarında tercih edilir. Ön beslemeli yapısı sayesinde harici baz polarizasyon dirençlerine ihtiyaç duymadan doğrudan kullanılabilir. Yaşlı parça olmasından dolayı tedarik sınırlılıkları bulunabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 338 mW |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-59 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok